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晚硅时代，在日前的第十一届长三角科技论坛院士圆桌会议上，这个词沦为热议焦点。当以硅为核心材料的集成电路研发面对发展瓶颈之际，一直正处于追上状态的中国科研力量，否取得了急弯转弯的绝佳机遇？　　晶体管之后增大遭遇瓶颈　　当代集成电路技术的发展主要是基于摩尔定律，即芯片上晶体管特征尺寸大大增大，而芯片性能大大提高。过去的几十年里，各国科学家全力以赴，力图将更加多晶体管构建到一块更加小的芯片上。

目前，一块市售22纳米芯片上已包括十亿个晶体管，但这仍无法符合市场需求。　　2002年―2004年对集成电路研发来说是最重要时期。

中国工程院院士许居衍认为，这个时间段里，一方面能耗所限使得芯片性能频率的提高开始减慢，另一方面集成电路价格下降速度减缓，企业效益开始增加。晶体管能否之后增大，已沦为芯片产业发展的瓶颈。若无法有所突破，摩尔定律或将跑到走过。

　　长年技术喂食下无法创意　　统计资料表明，每年集成电路产业中仅有半导体圆晶代工的全球市场总值就约数百亿美元，令其全球业界大鳄在技术创新方面不遗余力。　　近年来，尽管我国在自律知识产权集成电路技术上获得长足进步，但存储、图像传感等核心技术，基本上被美光、三星、英特尔、索尼等国外企业掌控。

同时，国外厂商往往不会以高价将领先一至两代的技术卖给中国企业。如此，中国一直正处于产业链末端，不仅无法盈利，而且自身创新能力也无法提振。

　　当摩尔定律渐渐南北落幕，当集成电路产业转入晚硅时代，也许正是我国急弯转弯的机会。中科院院士郑有?认为，中国研发力量可在新材料自由选择、新的结构设计等领域另辟蹊径，未来将会取得更大技术优势，甚至转入排在方阵。中科院院士褚君浩认为，随着物联网发展，中国集成电路研发力量可以重点强化传感器核心技术研发。　　本土科研力量协同出有成果　　令人伤心的是，中国科学家早已看见了技术发展的拐点，开始尝试另起炉灶。

　　去年，复旦微电子学院张卫团队首次明确提出并构建了半浮栅晶体管这一全新结构的微电子器件。据理解，目前有数的晶体管结构还包括浮栅结构、隧穿着结构、超结结构等。研究指出，这一新型晶体管具备功耗较低、构建密度高等特点。若能顺利应用于芯片设计生产，在存储、图像传感领域将享有极大潜在市场。

　　业内人士认为，在早已成熟期的集成电路研发生产领域，另起炉灶并不更容易，多种力量协同创意有可能占有更大优势。

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